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2SA1930,LBS2DIAQ(J - 

TRANS PNP 2A 180V TO220-3

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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,LBS2DIAQ(J
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制造商产品编号：
2SA1930,LBS2DIAQ(J
仓库库存编号：
2SA1930LBS2DIAQ(J-ND
描述：
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SA1930,LBS2DIAQ(J产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  TO-220NIS  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 100mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  180V  
  Power - Max  2W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  5μA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  2A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  1V @ 100mA，1A  
  频率 - 跃迁  200MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 2SA1930LBS2DIAQ(J
2SA1930LBS2DIAQJ

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