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产品规格

封装/外壳	SOT-723
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	VESM
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 10mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Power - Max	100mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	400mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，200mA
频率 - 跃迁	130MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	2SA1955FVBTPL3ZCT

封装/外壳 SOT-723  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-723  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-723  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-723   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 VESM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 VESM  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 VESM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 VESM   晶体管类型 PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V   Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 100mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 400mA  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 400mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 400mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 400mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA   频率 - 跃迁 130MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 130MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz