2SA1962-O(Q),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2SA1962-O(Q)
2SA1962-O(Q) -
TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
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非库存货
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制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SA1962-O(Q)
仓库库存编号:
2SA1962-OQ-ND
描述:
TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SA1962-O(Q)产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3P(N)
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 1A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
230V
Power - Max
130W
电流 - 集电极截止(最大值)
5μA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
15A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
3V @ 800mA,8A
频率 - 跃迁
30MHz
关键词
产品资料
数据列表
2SA1962
标准包装
50
其它名称
2SA1962-OQ
2SA1962OQ
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 250V 17A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
型号:
2SA1962RTU
仓库库存编号:
2SA1962RTU-ND
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SA1943N(S1,E,S)
仓库库存编号:
2SA1943N(S1ES)-ND
别名:2SA1943N(S1ES)
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SC5200N(S1,E,S)
仓库库存编号:
2SC5200N(S1ES)-ND
别名:2SC5200N(S1ES)
无铅
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