2SA965-Y,SWFF(M,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2SA965-Y,SWFF(M
2SA965-Y,SWFF(M -
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
如需报价、提交请求,请单击 此处。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SA965-Y,SWFF(M
仓库库存编号:
2SA965-YSWFF(M-ND
描述:
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SA965-Y,SWFF(M产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 长体
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
LSTM
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 100mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Power - Max
900mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
800mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 50mA,500mA
频率 - 跃迁
120MHz
关键词
产品资料
标准包装
1
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2SA965-YSWFF(M
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 通孔
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包装 散装
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供应商器件封装 LSTM
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晶体管类型 PNP
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,5V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
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Power - Max 900mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 900mW
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电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz
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