2SB1495,Q(J,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2SB1495,Q(J
2SB1495,Q(J -
TRANS PNP 3A 100V TO220-3
零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
如需报价、提交请求,请单击 此处。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SB1495,Q(J
仓库库存编号:
2SB1495Q(J-ND
描述:
TRANS PNP 3A 100V TO220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SB1495,Q(J产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
TO-220NIS
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
2000 @ 2A,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Power - Max
2W
电流 - 集电极截止(最大值)
10μA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1.5V @ 1.5mA,1.5A
频率 - 跃迁
-
关键词
产品资料
标准包装
1
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封装/外壳 TO-220-3 整包
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 通孔
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包装 散装
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晶体管类型 PNP
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
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Power - Max 2W
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W
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电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 1.5mA,1.5A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
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