2SC2383-O(T6OMI,FM,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SC2383-O(T6OMI,FM - 

TRANS NPN 1A 160V TO226-3

  • 零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
  • 如需报价、提交请求,请单击 此处。
Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O(T6OMI,FM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2SC2383-O(T6OMI,FM
仓库库存编号:
2SC2383-O(T6OMIFM-ND
描述:
TRANS NPN 1A 160V TO226-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 1A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2SC2383-O(T6OMI,FM产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3,TO-92-3 长体  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  TO-92MOD  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  60 @ 200mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  160V  
  Power - Max  900mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1μA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  1.5V @ 50mA,500mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 2SC2383-O(T6OMIFM
2SC2383OT6OMIFM

2SC2383-O(T6OMI,FM相关搜索

封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 上次购买时间  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 上次购买时间  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 上次购买时间  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 TO-92MOD  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-92MOD  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92MOD  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92MOD   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 200mA,5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 200mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 200mA,5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 200mA,5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V   Power - Max 900mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 900mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 900mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 900mW   电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 50mA,500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 50mA,500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 50mA,500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 50mA,500mA   频率 - 跃迁 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号