2SC2713-BL,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
>
2SC2713-BL,LF
2SC2713-BL,LF -
TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SC2713-BL,LF
仓库库存编号:
2SC2713-BLLFCT-ND
描述:
TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount TO-236
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
2SC2713-BL,LF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
TO-236
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
350 @ 2mA,6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Power - Max
150mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 1mA,10mA
频率 - 跃迁
100MHz
关键词
产品资料
数据列表
2SC2713
标准包装
1
其它名称
2SC2713-BLLFCT
2SC2713BLTE85LFCT
2SC2713BLTE85LFCT-ND
2SC2713-BL,LF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
IC 10-BIT 40MHZ A/D 28-SSOP
详细描述:10 Bit Analog to Digital Converter 1 Input 1 Pipelined 28-SSOP
型号:
ADS825E
仓库库存编号:
ADS825E-ND
无铅
搜索
Xilinx Inc.
IC CPLD 288MC 10NS 144TQFP
型号:
XC95288XL-10TQG144C
仓库库存编号:
122-1381-ND
别名:122-1381
XC95288XL10TQG144C
无铅
搜索
Linear Technology
IC OPAMP GP 325MHZ RRO 8SO
详细描述:通用 放大器 电路 满摆幅 8-SO
型号:
LT1807CS8#PBF
仓库库存编号:
LT1807CS8#PBF-ND
别名:LT1807CS8PBF
无铅
搜索
JST Sales America Inc.
CONN HEADER XH TOP 2POS 2.5MM
详细描述:2 位 接头 连接器 0.098"(2.50mm) 通孔 锡
型号:
B2B-XH-A(LF)(SN)
仓库库存编号:
455-2247-ND
别名:455-2247
B2B-XH-A (LF)(SN)(P)
B2B-XH-A (LF)(SN)(P);
B2B-XH-A(LF)(SN)(P)
B2BXHALFSNP
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC SUPERVISOR MPU SOT23-5
详细描述:Supervisor Push-Pull, Totem Pole Channel SOT-23-5
型号:
MAX825SEUK+T
仓库库存编号:
MAX825SEUK+TCT-ND
别名:MAX825SEUK+TCT
无铅
搜索
2SC2713-BL,LF相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 125°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C(TJ)
系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 已不再提供
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 已不再提供
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 已不再提供
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 TO-236
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-236
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-236
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-236
晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 350 @ 2mA,6V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 350 @ 2mA,6V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 350 @ 2mA,6V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 350 @ 2mA,6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Power - Max 150mW
Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 150mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA
频率 - 跃迁 100MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 100MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号