2SC3265-Y,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
>
2SC3265-Y,LF
2SC3265-Y,LF -
TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SC3265-Y,LF
仓库库存编号:
2SC3265-YLFCT-ND
描述:
TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 800mA 120MHz 200mW Surface Mount TO-236
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
2SC3265-Y,LF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
160 @ 100mA,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Power - Max
200mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
800mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
400mV @ 20mA,500mA
频率 - 跃迁
120MHz
关键词
产品资料
数据列表
2SC3265
标准包装
1
其它名称
2SC3265-Y(TE85LF)CT
2SC3265-Y(TE85LF)CT-ND
2SC3265-YLF(BCT
2SC3265-YLF(BCT-ND
2SC3265-YLFCT
2SC3265-Y,LF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SC2712-Y,LF
仓库库存编号:
2SC2712-YLFCT-ND
别名:2SC2712-Y(TE85LF)CT
2SC2712-Y(TE85LF)CT-ND
2SC2712-YCT
2SC2712-YCT-ND
2SC2712-YLFCT
2SC2712S-YLF(DCT
2SC2712S-YLF(DCT-ND
2SC2712S-YLFCT
2SC2712S-YLFCT-ND
无铅
搜索
Copal Electronics Inc.
SWITCH ROTARY DIP SP4T 100MA 5V
详细描述:Dip Switch SP4T 4 Position Surface Mount Rotary for Tool Actuator 100mA 5VDC
型号:
CS-7-14TB
仓库库存编号:
563-1217-1-ND
别名:563-1217-1
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SC3325-Y,LF
仓库库存编号:
2SC3325-YLFCT-ND
别名:2SC3325-YLFCT
2SC3325-YTE85LFCT
2SC3325-YTE85LFCT-ND
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 800mA 120MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SA1298-Y,LF
仓库库存编号:
2SA1298-YLFCT-ND
别名:2SA1298-Y(TE85LF)CT
2SA1298-Y(TE85LF)CT-ND
2SA1298-YLF(BCT
2SA1298-YLF(BCT-ND
2SA1298-YLFCT
无铅
搜索
2SC3265-Y,LF相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-236
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-236
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-236
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-236
晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 100mA,1V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 100mA,1V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 100mA,1V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 100mA,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Power - Max 200mW
Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 200mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 20mA,500mA
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 20mA,500mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 20mA,500mA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 20mA,500mA
频率 - 跃迁 120MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 120MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号