2SC3325-Y,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2SC3325-Y,LF
2SC3325-Y,LF -
TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SC3325-Y,LF
仓库库存编号:
2SC3325-YLFCT-ND
描述:
TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SC3325-Y,LF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
S-Mini
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
120 @ 100mA,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Power - Max
200mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 10mA,100mA
频率 - 跃迁
300MHz
关键词
产品资料
数据列表
2SC3325~
标准包装
1
其它名称
2SC3325-YLFCT
2SC3325-YTE85LFCT
2SC3325-YTE85LFCT-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SA1162-GR,LF
仓库库存编号:
2SA1162-GRLFCT-ND
别名:2SA1162-GR(TE85LF))CT
2SA1162-GR(TE85LF))CT-ND
2SA1162-GR(TE85LF)CT
2SA1162-GR(TE85LF)CT-ND
2SA1162-GRCT
2SA1162-GRCT-ND
2SA1162-GRLFCT
2SA1162S-GRLFCT
2SA1162S-GRLFCT-ND
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SA1313-Y,LF
仓库库存编号:
2SA1313-YLFCT-ND
别名:2SA1313-Y(TE85LF)CT
2SA1313-Y(TE85LF)CT-ND
2SA1313-YLFCT
无铅
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DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 500mA
型号:
EG01CV1
仓库库存编号:
EG01CV1CT-ND
别名:EG01CV1CT
无铅
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DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A AXIAL
详细描述:肖特基 通孔 二极管 1.5A
型号:
EK 16V1
仓库库存编号:
EK 16V1CT-ND
别名:EK 16V1CT
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC LOAD SWITCH 8CH 0.5A 18SSOP
型号:
TBD62083AFNG,EL
仓库库存编号:
TBD62083AFNGELCT-ND
别名:TBD62083AFNGELCT
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
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频率 - 跃迁 300MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz
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