2SC4215-O(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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2SC4215-O(TE85L,F)
2SC4215-O(TE85L,F) -
RF TRANS NPN 30V 20MA SC70
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SC4215-O(TE85L,F)
仓库库存编号:
2SC4215-O(TE85LF)CT-ND
描述:
RF TRANS NPN 30V 20MA SC70
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount USM
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SC4215-O(TE85L,F)产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
USM
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 1mA,6V
频率 - 跃迁
550MHz
功率 - 最大值
100mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
增益
23dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
5dB @ 100MHz
关键词
产品资料
数据列表
2SC4215
标准包装
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其它名称
2SC4215-O(TE85LF)CT
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 表面贴装
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 已不再提供
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 USM
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 USM
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 USM
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晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 1mA,6V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 1mA,6V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 1mA,6V
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频率 - 跃迁 550MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 550MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 550MHz
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功率 - 最大值 100mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 100mW
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
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增益 23dB
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 5dB @ 100MHz
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