2SC4793,YHF(M,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SC4793,YHF(M - 

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

  • 零件状态：过时；购买截止日期：12-31-2017。可能有最低购买数量。
  • 如需报价、提交请求，请单击 此处。
Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(M
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2SC4793,YHF(M
仓库库存编号：
2SC4793YHF(M-ND
描述：
TRANS NPN 1A 230V TO220-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 1A 100MHz 2W Through Hole TO-220NIS
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2SC4793,YHF(M产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  TO-220NIS  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 100mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  230V  
  Power - Max  2W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  1μA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  1.5V @ 50mA，500mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 2SC4793YHF(M
2SC4793YHFM

2SC4793,YHF(M相关搜索

封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 上次购买时间  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 上次购买时间  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 上次购买时间  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 TO-220NIS  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-220NIS  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220NIS  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220NIS   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V   Power - Max 2W  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 50mA，500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 50mA，500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号