2SC5087YTE85LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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2SC5087YTE85LF
2SC5087YTE85LF -
TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMQ
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SC5087YTE85LF
仓库库存编号:
2SC5087YTE85LFCT-ND
描述:
TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMQ
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 150mW Surface Mount SMQ
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SC5087YTE85LF产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-61AA
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
SMQ
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
120 @ 20mA,10V
频率 - 跃迁
7GHz
功率 - 最大值
150mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
80mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
增益
13dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.1dB @ 1GHz
关键词
产品资料
数据列表
2SC5087
标准包装
1
其它名称
2SC5087YTE85LFCT
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封装/外壳 SC-61AA
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-61AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-61AA
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
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工作温度 125°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 已不再提供
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 SMQ
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 SMQ
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SMQ
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晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 20mA,10V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 20mA,10V
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频率 - 跃迁 7GHz
Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 7GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 7GHz
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功率 - 最大值 150mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 150mW
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80mA
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
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增益 13dB
Toshiba Semiconductor and Storage 增益 13dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
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