2SC5930(TPF2,F,M),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
>
2SC5930(TPF2,F,M)
2SC5930(TPF2,F,M) -
TRANS NPN 1A 600V SC71
零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
如需报价、提交请求,请单击 此处。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SC5930(TPF2,F,M)
仓库库存编号:
2SC5930(TPF2FM)-ND
描述:
TRANS NPN 1A 600V SC71
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 1A 1W Through Hole MSTM
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
2SC5930(TPF2,F,M)产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-71
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
MSTM
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 200mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
1W
电流 - 集电极截止(最大值)
100μA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 75mA,600mA
频率 - 跃迁
-
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
2SC5930(TPF2FM)
2SC5930TPF2FM
2SC5930(TPF2,F,M)相关搜索
封装/外壳 SC-71
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-71
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-71
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-71
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型 通孔
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 散装
Toshiba Semiconductor and Storage 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
零件状态 上次购买时间
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 上次购买时间
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 上次购买时间
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 上次购买时间
供应商器件封装 MSTM
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 MSTM
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 MSTM
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 MSTM
晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 200mA,5V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 200mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 200mA,5V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 200mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 1W
Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 1W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W
电流 - 集电极截止(最大值) 100μA(ICBO)
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止(最大值) 100μA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100μA(ICBO)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100μA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 1A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 75mA,600mA
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 75mA,600mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 75mA,600mA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 75mA,600mA
频率 - 跃迁 -
Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号