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• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	SC-101，SOT-883
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	CST3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA，6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	100mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	60MHz
关键词

产品资料

数据列表	2SC6026CT
标准包装	1
其它名称	2SC6026CTGRTPL3CT

封装/外壳 SC-101，SOT-883  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-101，SOT-883  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-101，SOT-883  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-101，SOT-883   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 CST3  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 CST3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 CST3  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 CST3   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 100mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 60MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 60MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 60MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 60MHz