2SC6026MFVGR,L3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SC6026MFVGR,L3F - 

TRANS NPN 50V 0.15A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR,L3F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2SC6026MFVGR,L3F
仓库库存编号：
2SC6026MFVGRL3FCT-ND
描述：
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 60MHz 150mW Surface Mount VESM
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2SC6026MFVGR,L3F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-723  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  VESM  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  200 @ 2mA，6V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  150mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  150mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  250mV @ 10mA，100mA  
  频率 - 跃迁  60MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 2SC6026MFV
标准包装 1
其它名称 2SC6026MFVGRL3FCT

2SC6026MFVGR,L3F您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

2SC6026MFVGR,L3F相关搜索

封装/外壳 SOT-723  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-723  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-723  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-723   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 VESM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 VESM  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 VESM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 VESM   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 60MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 60MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 60MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 60MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号