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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	PW-MOLD
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 300mA，3A
频率 - 跃迁	3MHz
关键词

产品资料

标准包装	200

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PW-MOLD  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 PW-MOLD  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PW-MOLD  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PW-MOLD   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 1W  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 300mA，3A  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 300mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 300mA，3A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 300mA，3A   频率 - 跃迁 3MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 3MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz