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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220NIS
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	25W
电流 - 集电极截止（最大值）	30μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 300mA，3A
频率 - 跃迁	8MHz
关键词

产品资料

标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220NIS  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-220NIS  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220NIS  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220NIS   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 25W  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 25W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 25W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 25W   电流 - 集电极截止（最大值） 30μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 30μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 30μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 30μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 300mA，3A  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 300mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 300mA，3A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 300mA，3A   频率 - 跃迁 8MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 8MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 8MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 8MHz