2SK1828TE85LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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2SK1828TE85LF
2SK1828TE85LF -
MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SK1828TE85LF
仓库库存编号:
2SK1828TE85LFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 50mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SK1828TE85LF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
SC-59
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
40欧姆 @ 10mA,2.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5.5pF @ 3V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
2SK1828
标准包装
1
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2SK1828TE85LFCT
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别名:991-1035
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