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2SK3844(Q)
2SK3844(Q) -
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
2SK3844(Q)
仓库库存编号:
2SK3844(Q)-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 60V 45A(Ta) 45W(Tc) TO-220NIS
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SK3844(Q)产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220NIS
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
196nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5.8 毫欧 @ 23A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
45A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
12400pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
45W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
标准包装
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 通孔
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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功率耗散(最大值) 45W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 60V
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