CRZ10(TE85L,Q),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

CRZ10(TE85L,Q) - 

DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10(TE85L,Q)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CRZ10(TE85L,Q)
仓库库存编号：
CRZ10(TE85L,Q)-ND
描述：
DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 10V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CRZ10(TE85L,Q)产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOD-123F  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  S-FLAT（1.6x3.5）  
  容差  ±10%  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  10μA @ 6V  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1V @ 200mA  
  Power - Max  700mW  
  电压 - 齐纳（标称值）（Vz）  10V  
  阻抗（最大值）（Zzt）  30 Ohms  
关键词         

产品资料
数据列表 CRY62 - CRZ47
标准包装 3,000

CRZ10(TE85L,Q)相关搜索

封装/外壳 SOD-123F  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOD-123F  二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 SOD-123F  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 SOD-123F   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 -40°C ~ 150°C  二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  二极管 - 齐纳 - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 S-FLAT（1.6x3.5）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 S-FLAT（1.6x3.5）  二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 S-FLAT（1.6x3.5）  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 S-FLAT（1.6x3.5）   容差 ±10%  Toshiba Semiconductor and Storage 容差 ±10%  二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±10%  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±10%   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 6V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 6V  二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 6V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 6V   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1V @ 200mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1V @ 200mA  二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1V @ 200mA  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1V @ 200mA   Power - Max 700mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 700mW  二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 700mW  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 700mW   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 10V  二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 10V   阻抗（最大值）（Zzt） 30 Ohms  Toshiba Semiconductor and Storage 阻抗（最大值）（Zzt） 30 Ohms  二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 30 Ohms  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 30 Ohms  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号