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CRZ11(TE85L,Q)
CRZ11(TE85L,Q) -
DIODE ZENER 11V 700MW SFLAT
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
CRZ11(TE85L,Q)
仓库库存编号:
CRZ11(TE85L,Q)-ND
描述:
DIODE ZENER 11V 700MW SFLAT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode 11V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CRZ11(TE85L,Q)产品属性
产品规格
封装/外壳
SOD-123F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
S-FLAT(1.6x3.5)
容差
±10%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 7V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1V @ 200mA
Power - Max
700mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
11V
阻抗(最大值)(Zzt)
30 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
CRY62 - CRZ47
标准包装
3,000
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 表面贴装
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二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -40°C ~ 150°C
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二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
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二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 S-FLAT(1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 S-FLAT(1.6x3.5)
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 S-FLAT(1.6x3.5)
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容差 ±10%
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二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±10%
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 7V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 7V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 7V
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 7V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
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Power - Max 700mW
Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 700mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 700mW
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11V
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阻抗(最大值)(Zzt) 30 Ohms
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