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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SOP（5.5x6.0）
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	1W
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.3V @ 4V， 200A
25°C 时 Td（开/关）值	3.1μs/2μs
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）   输入类型 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 1W  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 1W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1W   测试条件 -  Toshiba Semiconductor and Storage 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Toshiba Semiconductor and Storage 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A   IGBT 类型 -  Toshiba Semiconductor and Storage IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 4V， 200A  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 4V， 200A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 4V， 200A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 4V， 200A   25°C 时 Td（开/关）值 3.1μs/2μs  Toshiba Semiconductor and Storage 25°C 时 Td（开/关）值 3.1μs/2μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 3.1μs/2μs  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 3.1μs/2μs