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产品规格

封装/外壳	TO-3PL
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3P（LH）
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	2.5μs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1000V
Power - Max	170W
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.8V @ 15V，60A
25°C 时 Td（开/关）值	330ns/700ns
关键词

产品资料

数据列表	GT60N321
标准包装	100

封装/外壳 TO-3PL  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-3PL  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3PL  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3PL   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3P（LH）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-3P（LH）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P（LH）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P（LH）   输入类型 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 2.5μs  Toshiba Semiconductor and Storage 反向恢复时间（trr） 2.5μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 2.5μs  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 2.5μs   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V   Power - Max 170W  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 170W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 170W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 170W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 -  Toshiba Semiconductor and Storage 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Toshiba Semiconductor and Storage 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 -  Toshiba Semiconductor and Storage IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，60A  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，60A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，60A   25°C 时 Td（开/关）值 330ns/700ns  Toshiba Semiconductor and Storage 25°C 时 Td（开/关）值 330ns/700ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 330ns/700ns  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 330ns/700ns