HN1B01FU-GR,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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HN1B01FU-GR,LF - 

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR,LF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HN1B01FU-GR,LF
仓库库存编号:
HN1B01FU-GRLFCT-ND
描述:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HN1B01FU-GR,LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  US6  
  晶体管类型  NPN,PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  200 @ 2mA,6V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 10mA,100mA  
  频率 - 跃迁  150MHz  
  功率 - 最大值  200mW,210mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  150mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 HN1B01F
标准包装 1
其它名称 HN1B01FU-GRLFCT
HN1B01FUGRLFTCT
HN1B01FUGRLFTCT-ND

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