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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	US6
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	150MHz
功率 - 最大值	200mW，210mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	HN1B01F
标准包装	1
其它名称	HN1B01FU-GRLFCT HN1B01FUGRLFTCT HN1B01FUGRLFTCT-ND

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 125°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 US6  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 US6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 US6  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 US6   晶体管类型 NPN，PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 150MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 150MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 150MHz   功率 - 最大值 200mW，210mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 200mW，210mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW，210mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW，210mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V