HN1B04FU-Y(T5L,F,T,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T -

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y(T5L,F,T

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号：: HN1B04FU-Y(T5L,F,T
仓库库存编号：: HN1B04FU-Y(T5LFTCT-ND
描述：: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T产品属性

产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	US6
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 2mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	150MHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	HN1B04FU
标准包装	1
其它名称	HN1B04FU-Y(T5LFTCT

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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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邮箱：sales@szcwdz.com
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