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• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	US6
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	500nA @ 80V
反向恢复时间（trr）	4ns
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.2V @ 100mA
工作温度 - 结	125°C（最大）
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	80V
速度	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）	100mA
二极管配置	2 对共阴极
关键词

产品资料

数据列表	HN1D02FU
标准包装	1
其它名称	HN1D02FU(T5LFT)CT

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   二极管 - 整流器 - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 US6  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 US6  二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 US6  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 US6   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 80V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 80V  二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 80V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 80V   反向恢复时间（trr） 4ns  Toshiba Semiconductor and Storage 反向恢复时间（trr） 4ns  二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间（trr） 4ns  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间（trr） 4ns   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 100mA  二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 100mA   工作温度 - 结 125°C（最大）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 - 结 125°C（最大）  二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 125°C（最大）  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 125°C（最大）   二极管类型 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 标准  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准   电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 80V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 80V  二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 80V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 80V   速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度  Toshiba Semiconductor and Storage 速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度  二极管 - 整流器 - 阵列 速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度   电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 100mA  二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 100mA   二极管配置 2 对共阴极  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管配置 2 对共阴极  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 2 对共阴极  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 2 对共阴极