HN3C51F-BL(TE85L,F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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HN3C51F-BL(TE85L,F - 

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-BL(TE85L,F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HN3C51F-BL(TE85L,F
仓库库存编号:
HN3C51F-BL(TE85LFCT-ND
描述:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HN3C51F-BL(TE85L,F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-74,SOT-457  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SM6  
  晶体管类型  2 NPN(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  350 @ 2mA,6V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 1mA,10mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  120V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 HN3C51F-BL(TE85LF)CT
HN3C51F-BL(TE85LF)CT-ND
HN3C51F-BL(TE85LFCT

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