HN4A51JTE85LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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HN4A51JTE85LF - 

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HN4A51JTE85LF
仓库库存编号：
HN4A51JTE85LFCT-ND
描述：
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HN4A51JTE85LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-74A，SOT-753  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SMV  
  晶体管类型  2 PNP（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  200 @ 2mA，6V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 1mA，10mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  120V  
关键词         

产品资料
数据列表 HN4A51J
标准包装 1
其它名称 HN4A51JTE85LFCT

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