HN4A56JU(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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HN4A56JU(TE85L,F) - 

TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Toshiba Semiconductor and Storage HN4A56JU(TE85L,F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HN4A56JU(TE85L,F)
仓库库存编号：
HN4A56JU(TE85LF)CT-ND
描述：
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 60MHz 200mW Surface Mount USV
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HN4A56JU(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  USV  
  晶体管类型  2 PNP（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  120 @ 2mA，6V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 10mA，100mA  
  频率 - 跃迁  60MHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  150mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 HN4A56JU
标准包装 1
其它名称 HN4A56JU(TE85LF)CT

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