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• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	SOT-553
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	ESV
晶体管类型	NPN，PNP（耦合发射器）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 10MA，100MA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	80MHz
功率 - 最大值	100mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	HN4B01JE
标准包装	1
其它名称	HN4B01JE(TE85LF)CT

封装/外壳 SOT-553  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-553  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-553  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-553   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 ESV  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ESV  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 ESV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 ESV   晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10MA，100MA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10MA，100MA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10MA，100MA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10MA，100MA   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 80MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 80MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 80MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 80MHz   功率 - 最大值 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 100mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V