HN4B04J(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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HN4B04J(TE85L,F) - 

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage HN4B04J(TE85L,F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HN4B04J(TE85L,F)
仓库库存编号:
HN4B04J(TE85LF)CT-ND
描述:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HN4B04J(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-74A,SOT-753  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SMV  
  晶体管类型  NPN,PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  70 @ 100mA,1V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100μA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 10mA,100mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  500mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 HN4B04J
标准包装 1
其它名称 HN4B04J(TE85LF)CT

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