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产品规格

封装/外壳	SC-74A，SOT-753
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SMV
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	70 @ 100mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	200MHz
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
关键词

产品资料

数据列表	HN4B04J
标准包装	1
其它名称	HN4B04J(TE85LF)CT

封装/外壳 SC-74A，SOT-753  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-74A，SOT-753  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SC-74A，SOT-753  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SC-74A，SOT-753   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SMV  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 SMV  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SMV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SMV   晶体管类型 NPN，PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 100mA，1V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 100mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 100mA，1V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 100mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 200MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz   功率 - 最大值 300mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V