JDP2S02ACT(TPL3),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 射频

专业代理销售st（意法）全系列产品

关于我们 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

美国1号仓库

分立半导体产品

二极管 - 射频

> JDP2S02ACT(TPL3)

JDP2S02ACT(TPL3) -

DIODE PIN 30V 50MA CTS2

增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT(TPL3)

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号：: JDP2S02ACT(TPL3)
仓库库存编号：: JDP2S02ACT(TPL3)CT-ND
描述：: DIODE PIN 30V 50MA CTS2
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: RF Diode PIN - Single 30V CST2

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

数据正在加载中...

JDP2S02ACT(TPL3)产品属性

产品规格

封装/外壳	SOD-882
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	CST2
功率耗散（最大值）	-
二极管类型	PIN - 单
不同?Vr，F 时的电容	0.4pF @ 1V，1MHz
电流 - 最大值	50mA
电压 - 峰值反向（最大值）	30V
不同?If，F 时的电阻	1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
关键词

产品资料

数据列表	JDP2S02ACT
标准包装	1
其它名称	JDP2S02ACT(TPL3)CT

JDP2S02ACT(TPL3)相关搜索

封装/外壳 SOD-882 Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOD-882 二极管 - 射频封装/外壳 SOD-882 Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频封装/外壳 SOD-882 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频制造商 Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ） Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）二极管 - 射频工作温度 150°C（TJ） Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频工作温度 150°C（TJ）系列 - Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 二极管 - 射频系列 - Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频系列 - 包装剪切带（CT） Toshiba Semiconductor and Storage 包装剪切带（CT）二极管 - 射频包装剪切带（CT） Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频包装剪切带（CT）零件状态已不再提供 Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态已不再提供二极管 - 射频零件状态已不再提供 Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频零件状态已不再提供供应商器件封装 CST2 Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 CST2 二极管 - 射频供应商器件封装 CST2 Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频供应商器件封装 CST2 功率耗散（最大值） - Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） - 二极管 - 射频功率耗散（最大值） - Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频功率耗散（最大值） - 二极管类型 PIN - 单 Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 PIN - 单二极管 - 射频二极管类型 PIN - 单 Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频二极管类型 PIN - 单不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz 二极管 - 射频不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz 电流 - 最大值 50mA Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 最大值 50mA 二极管 - 射频电流 - 最大值 50mA Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频电流 - 最大值 50mA 电压 - 峰值反向（最大值） 30V Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向（最大值） 30V 二极管 - 射频电压 - 峰值反向（最大值） 30V Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频电压 - 峰值反向（最大值） 30V 不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz Toshiba Semiconductor and Storage 不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 二极管 - 射频不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz

参考价格及参考库存

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

st（意法）简介 | st产品 | st动态 | 产品应用 | st选型手册

Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号