JDP2S02ACT(TPL3),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

JDP2S02ACT(TPL3) - 

DIODE PIN 30V 50MA CTS2

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT(TPL3)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
JDP2S02ACT(TPL3)
仓库库存编号：
JDP2S02ACT(TPL3)CT-ND
描述：
DIODE PIN 30V 50MA CTS2
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Diode PIN - Single 30V CST2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

JDP2S02ACT(TPL3)产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOD-882  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  CST2  
  功率耗散（最大值）  -  
  二极管类型  PIN - 单  
  不同?Vr，F 时的电容  0.4pF @ 1V，1MHz  
  电流 - 最大值  50mA  
  电压 - 峰值反向（最大值）  30V  
  不同?If，F 时的电阻  1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 JDP2S02ACT
标准包装 1
其它名称 JDP2S02ACT(TPL3)CT

JDP2S02ACT(TPL3)相关搜索

封装/外壳 SOD-882  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOD-882  二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-882  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-882   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  二极管 - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  二极管 - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  二极管 - 射频 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   二极管 - 射频 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  二极管 - 射频 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 CST2  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 CST2  二极管 - 射频 供应商器件封装 CST2  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 供应商器件封装 CST2   功率耗散（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） -  二极管 - 射频 功率耗散（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 功率耗散（最大值） -   二极管类型 PIN - 单  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 PIN - 单  二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 单  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 单   不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz  二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 0.4pF @ 1V，1MHz   电流 - 最大值 50mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 最大值 50mA  二极管 - 射频 电流 - 最大值 50mA  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 电流 - 最大值 50mA   电压 - 峰值反向（最大值） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向（最大值） 30V  二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 30V   不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz  二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号