JDV2S09FSTPL3,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 射频
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JDV2S09FSTPL3
JDV2S09FSTPL3 -
DIODE STANDARD 10V FSC
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
JDV2S09FSTPL3
仓库库存编号:
JDV2S09FSTPL3CT-ND
描述:
DIODE STANDARD 10V FSC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode Standard - Single 10V fSC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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JDV2S09FSTPL3产品属性
产品规格
封装/外壳
2-SMD,扁平引线
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
fSC
功率耗散(最大值)
-
二极管类型
标准 - 单
不同?Vr,F 时的电容
11.1pF @ 1V,1MHz
电压 - 峰值反向(最大值)
10V
不同?If,F 时的电阻
-
关键词
产品资料
数据列表
JDV2S09FS
标准包装
1
其它名称
JDV2S09FSTPL3CT
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封装/外壳 2-SMD,扁平引线
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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二极管 - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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工作温度 150°C(TJ)
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二极管 - 射频 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
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二极管 - 射频 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 fSC
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 fSC
二极管 - 射频 供应商器件封装 fSC
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功率耗散(最大值) -
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二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -
二极管类型 标准 - 单
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 标准 - 单
二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单
不同?Vr,F 时的电容 11.1pF @ 1V,1MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr,F 时的电容 11.1pF @ 1V,1MHz
二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 11.1pF @ 1V,1MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 11.1pF @ 1V,1MHz
电压 - 峰值反向(最大值) 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向(最大值) 10V
二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 10V
不同?If,F 时的电阻 -
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?If,F 时的电阻 -
二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 -
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 -
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