MT3S20P(TE12L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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MT3S20P(TE12L,F) - 

TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MT3S20P(TE12L,F)
仓库库存编号:
MT3S20P(TE12LF)CT-ND
描述:
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MT3S20P(TE12L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PW-MINI  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  100 @ 50mA,5V  
  频率 - 跃迁  7GHz  
  功率 - 最大值  1.8W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  80mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  12V  
  增益  16.5dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  1.45dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 MT3S20P
标准包装 1
其它名称 MT3S20P(TE12LF)CT

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