MT3S20P(TE12L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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MT3S20P(TE12L,F) - 

TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MT3S20P(TE12L,F)
仓库库存编号：
MT3S20P(TE12LF)CT-ND
描述：
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MT3S20P(TE12L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PW-MINI  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 50mA，5V  
  频率 - 跃迁  7GHz  
  功率 - 最大值  1.8W  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  80mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  12V  
  增益  16.5dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  1.45dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 MT3S20P
标准包装 1
其它名称 MT3S20P(TE12LF)CT

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