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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	3-SMD，扁平引线
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	UFM
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 50mA，5V
频率 - 跃迁	7GHz
功率 - 最大值	900mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	12dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.45dB @ 20mA，5V
关键词

产品资料

数据列表	MT3S20TU
标准包装	1
其它名称	MT3S20TU(TE85L)CT

封装/外壳 3-SMD，扁平引线  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 3-SMD，扁平引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 3-SMD，扁平引线  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 3-SMD，扁平引线   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 UFM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 UFM  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 UFM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 UFM   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 50mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 50mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 50mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 50mA，5V   频率 - 跃迁 7GHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 7GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 7GHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 7GHz   功率 - 最大值 900mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 900mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 900mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 900mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 12dB  Toshiba Semiconductor and Storage 增益 12dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12dB  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.45dB @ 20mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.45dB @ 20mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.45dB @ 20mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.45dB @ 20mA，5V