RN1102MFV,L3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
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RN1102MFV,L3F - 

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RN1102MFV,L3F
仓库库存编号：
RN1102MFVL3FCT-ND
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

RN1102MFV,L3F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-723  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  VESM  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  50 @ 10mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  150mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，5mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  10k  
关键词         

产品资料
数据列表 General-Purpose Small-Signal Surface-Mount Devices
标准包装 1
其它名称 RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3FCT

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