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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	SOT-723
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	VESM
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	150mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，5mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
关键词

产品资料

数据列表	General-Purpose Small-Signal Surface-Mount Devices
标准包装	1
其它名称	RN1104MFV(TL3T)CT RN1104MFV(TL3T)CT-ND RN1104MFVL3FCT

封装/外壳 SOT-723  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-723  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-723  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-723   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 VESM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 VESM  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 VESM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 VESM   晶体管类型 NPN - 预偏压  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA   频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k