RN1105MFV,L3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

专业代理销售st（意法）全系列产品

关于我们 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

美国1号仓库

分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

> RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F -

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3F

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号：: RN1105MFV,L3F
仓库库存编号：: RN1105MFV,L3FCT-ND
描述：: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

RN1105MFV,L3F产品属性

产品规格

封装/外壳	SOT-723
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	VESM
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	150mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，5mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
关键词

产品资料

数据列表	General-Purpose Small-Signal Surface-Mount Devices
标准包装	1
其它名称	RN1105MFV(TL3T)CT RN1105MFV(TL3T)CT-ND RN1105MFV,L3FCT

RN1105MFV,L3F您可能还对以下元器件感兴趣

参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM

型号：RN1105,LF(CT
仓库库存编号：RN1105LF(CTCT-ND
别名：RN1105(T5LFT)CT
RN1105(T5LFT)CT-ND
RN1105LF(CTCT
无铅
搜索

RN1105MFV,L3F相关搜索

封装/外壳 SOT-723 Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-723 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置封装/外壳 SOT-723 Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置封装/外壳 SOT-723 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型表面贴装 Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型表面贴装晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置安装类型表面贴装 Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置安装类型表面贴装系列 - Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置系列 - Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置系列 - 包装剪切带（CT） Toshiba Semiconductor and Storage 包装剪切带（CT）晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置包装剪切带（CT） Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置包装剪切带（CT）零件状态在售 Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态在售晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置零件状态在售 Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置零件状态在售供应商器件封装 VESM Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 VESM 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置供应商器件封装 VESM Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置供应商器件封装 VESM 晶体管类型 NPN - 预偏压 Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN - 预偏压晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置晶体管类型 NPN - 预偏压 Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置晶体管类型 NPN - 预偏压不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Power - Max 150mW Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 150mW 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置电流 - 集电极截止（最大值） 500nA Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置电流 - 集电极截止（最大值） 500nA Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA 频率 - 跃迁 - Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 - 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置频率 - 跃迁 - Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置频率 - 跃迁 - 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

st（意法）简介 | st产品 | st动态 | 产品应用 | st选型手册

Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号