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产品规格

封装/外壳	SC-70，SOT-323
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	USM
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	100mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250μA，5mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	4.7k
关键词

产品资料

数据列表	RN130(1-6)
标准包装	1
其它名称	RN1301(TE85LF)CT RN1301(TE85LF)CT-ND RN1301LFCT

封装/外壳 SC-70，SOT-323  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-70，SOT-323  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 USM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 USM  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 USM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 USM   晶体管类型 NPN - 预偏压  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 100mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA   频率 - 跃迁 250MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k