RN1427TE85LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
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RN1427TE85LF - 

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

  • 非库存货
Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RN1427TE85LF
仓库库存编号：
RN1427TE85LF-ND
描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

RN1427TE85LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  S-Mini  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  90 @ 100mA，1V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  800mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  250mV @ 1mA，50mA  
  频率 - 跃迁  300MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  2.2k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  10k  
关键词         

产品资料
数据列表 RN142x
标准包装 3,000
其它名称 RN1427(TE85L,F)

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