RN1901,LF(CT,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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RN1901,LF(CT - 

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Toshiba Semiconductor and Storage RN1901,LF(CT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
RN1901,LF(CT
仓库库存编号:
RN1901LF(CTCT-ND
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RN1901,LF(CT产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  US6  
  晶体管类型  2 个 NPN 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  30 @ 10mA,5V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 250μA,5mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  4.7k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  1k  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 RN1901(T5LFT)CT
RN1901(T5LFT)CT-ND
RN1901LF(CTCT

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