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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	US6
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 1mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250μA，5mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	RN1973
标准包装	1
其它名称	RN1973(TE85LF)CT

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 US6  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 US6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 US6  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 US6   晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA   频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -   功率 - 最大值 200mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 200mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V