RN2711(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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RN2711(TE85L,F) - 

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

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Toshiba Semiconductor and Storage RN2711(TE85L,F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RN2711(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2711(TE85LF)CT-ND
描述：
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RN2711(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  USV  
  晶体管类型  2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  400 @ 1mA，5V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 250μA，5mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  -  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 RN2710,2711
标准包装 1
其它名称 RN2711(TE85LF)CT

RN2711(TE85L,F)相关搜索

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