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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	ES6
晶体管类型	2 个 PNP 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250μA，5mA
频率 - 跃迁	200MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
功率 - 最大值	100mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	RN2901FE-06FE
标准包装	4,000
其它名称	RN2905FE(TE85L,F) RN2905FE(TE85LF)TR RN2905FE(TE85LF)TR-ND RN2905FE,LF(CT RN2905FELF(CBTR RN2905FELF(CTTR RN2905FELF(CTTR-ND

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 ES6  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ES6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 ES6  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 ES6   晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA   频率 - 跃迁 200MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k   功率 - 最大值 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 100mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V