SSM3J117TU,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SSM3J117TU,LF - 

MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU,LF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SSM3J117TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J117TULFCT-ND
描述：
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SSM3J117TU,LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-SMD，扁平引线  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C  
  系列  U-MOSII  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  UFM  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  117 毫欧 @ 1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  2A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  280pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.6V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  500mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM3J117TU
标准包装 1
其它名称 SSM3J117TULFCT

SSM3J117TU,LF您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SSM3J117TU,LF相关搜索

封装/外壳 3-SMD，扁平引线  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 3-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 3-SMD，扁平引线  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 3-SMD，扁平引线   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C   系列 U-MOSII  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSII  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSII  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSII   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 UFM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 UFM  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 UFM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 UFM   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 117 毫欧 @ 1A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 117 毫欧 @ 1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 117 毫欧 @ 1A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 117 毫欧 @ 1A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V   FET 类型 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 15V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 15V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 15V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 1mA   功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号