SSM3J328R,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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SSM3J328R,LF
SSM3J328R,LF -
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
SSM3J328R,LF
仓库库存编号:
SSM3J328RLFCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SSM3J328R,LF产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
U-MOSVI
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23F
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
12.8nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
840pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
标准包装
1
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SSM3J328RLF(ACT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
535-9542-1-ND
别名:535-9542-1
无铅
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型号:
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别名:DMG3420U-7DICT
无铅
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型号:
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型号:
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别名:535-11937-1
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型号:
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