SSM3K15AFU,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SSM3K15AFU,LF - 

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFU,LF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM3K15AFU,LF
仓库库存编号:
SSM3K15AFULFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SSM3K15AFU,LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70,SOT-323  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  U-MOSIII  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  USM  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.6 欧姆 @ 10mA,4V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  100mA(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  13.5pF @ 3V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  150mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM3K15AFU
标准包装 1
其它名称 SSM3K15AFULFCT

SSM3K15AFU,LF您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SSM3K15AFU,LF相关搜索

封装/外壳 SC-70,SOT-323  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-70,SOT-323  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 U-MOSIII  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 U-MOSIII  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 U-MOSIII   包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 USM  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 USM  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 USM  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 USM   技术 MOSFET(金属氧化物)  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13.5pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13.5pF @ 3V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13.5pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13.5pF @ 3V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA   功率耗散(最大值) 150mW(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散(最大值) 150mW(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 150mW(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 150mW(Ta)   漏源电压(Vdss) 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号