SSM3K310T(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
SSM3K310T(TE85L,F)
SSM3K310T(TE85L,F) -
MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
SSM3K310T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3K310T(TE85LF)CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) TSM
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SSM3K310T(TE85L,F)产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
TSM
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14.8nC @ 4V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
28毫欧 @ 4A,4V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1120pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
SSM3K310T
标准包装
1
其它名称
SSM3K310T(TE85LF)CT
SSM3K310T(TE85L,F)您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
IC REG BUCK BOOST ADJ 1.6A 10SON
详细描述:可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 1.2V 1 输出 1.6A(开关) 10-VFDFN 裸露焊盘
型号:
TPS63000DRCR
仓库库存编号:
296-19641-1-ND
别名:296-19641-1
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RZR020P01TL
仓库库存编号:
RZR020P01TLCT-ND
别名:RZR020P01TLCT
无铅
搜索
Adafruit Industries LLC
LED RGB WS2812 OR SK6812 1=10
型号:
1655
仓库库存编号:
1528-1104-ND
别名:1428-1104
1428-1104-ND
1528-1104
无铅
搜索
Digi International
XBEE MOD TXRX ISM 915MHZ UFL
型号:
XB9X-DMUS-001
仓库库存编号:
602-1888-ND
别名:602-1888
无铅
搜索
SSM3K310T(TE85L,F)相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 上次购买时间
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 上次购买时间
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间
供应商器件封装 TSM
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TSM
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TSM
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TSM
技术 MOSFET(金属氧化物)
Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±10V
Toshiba Semiconductor and Storage Vgs(最大值) ±10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±10V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.8nC @ 4V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.8nC @ 4V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.8nC @ 4V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.8nC @ 4V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28毫欧 @ 4A,4V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28毫欧 @ 4A,4V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28毫欧 @ 4A,4V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28毫欧 @ 4A,4V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4V
Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4V
FET 类型 N 沟道
Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1120pF @ 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1120pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1120pF @ 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1120pF @ 10V
FET 功能 -
Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号