SSM3K59CTB,L3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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SSM3K59CTB,L3F
SSM3K59CTB,L3F -
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
SSM3K59CTB,L3F
仓库库存编号:
SSM3K59CTBL3FCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40V 2A(Ta) 1W(Ta) CST3B
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SSM3K59CTB,L3F产品属性
产品规格
封装/外壳
3-SMD,无引线
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
U-MOSVII-H
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
CST3B
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.1nC @ 4.2V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
215 毫欧 @ 1A,8V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,8V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
130pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
SSM3K59CTB
标准包装
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