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产品规格

封装/外壳	6-SMD（5引线），扁引线
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	U-MOSIII
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	UFV
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	6.4nC @ 4V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	213 毫欧 @ 1A，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.5A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	250pF @ 10V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	20V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	SSM5G10TU(TE85LF)CT

封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 U-MOSIII  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSIII  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSIII   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 UFV  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 UFV  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 UFV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 UFV   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 213 毫欧 @ 1A，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 213 毫欧 @ 1A，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 213 毫欧 @ 1A，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 213 毫欧 @ 1A，4V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V   FET 类型 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 10V   FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V